1000배 더 빠른 USB메모리 개발 가능해졌다

과거보다 1000배 이상 속도가 빠르고 저장용량도 몇 배나 커진 차세대 반도체 저장장치 소자를 국내 연구진이 개발했다.


황철성 서울대 교수팀은 USB메모리 등 초소형 저장메모리에 사용되는 낸드 플래시의 한계를 극복할 수 있는 새로운 자가 정류·저항변화 메모리를 개발했다고 19일 밝혔다.


기사전문 http://www.dongascience.com/news/view/7361

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